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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯镇关西是谁，镇关西是谁打死的片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(镇关西是谁，镇关西是谁打死的cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　镇关西是谁，镇关西是谁打死的目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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