大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shō一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排u)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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