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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)相亲对象不回消息算拒绝吗，相亲女拒绝你一般有三种暗示链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国相亲对象不回消息算拒绝吗，相亲女拒绝你一般有三种暗示(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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