大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词鑫保持良好的合(hé)作。

全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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