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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》20G等于多少GB 20GB流量够用一天吗《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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