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敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步

敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突(tū)发(fā)消(xiāo)息(xī)。

  美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络安全敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险,影响我国国(guó)家安(ān)全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查,目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng),只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú),欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全(quán),防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险,维护国家安(ān)全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国(guó)出(chū)手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应(yīng敷面膜前要擦水和乳液吗,正确的护肤顺序七步)商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī),如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì),或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜(mó)沉积(jī))等相关公(gōng)司份(fèn)额提升,以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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