大家(jiā)好，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：营口焊闯人力资源有限公司 什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法